Пн.-Пт.: 10.00 - 18.00
Сб.-Вс. - выходной

Заказать обратный звонок

+7 (495) 21-21-902
Корзина 0 | 0 р.
Ничего не куплено
О компании Доставка и оплата Специальные предложения Услуги Новости Контакты
  • 3Q
  • ZyXEL
  • Epson
  • Kingston
  • Corsair
  • Supermicro
  • Asus
  • BenQ
  • Canon
  • Sony
  • Qnap
  • Fujitsu
  • AMD
  • Acer
  • Xerox
  • Dell
  • PNY
  • APC
  • Cisco
  • Intel
  • HP
  • Buffalo
  • IBM
Каталог
Акции
Опрос
Какой OS на смартфоне Вы пользуетесь?


Голосовать Результаты

Micron представила быстрые и надёжные SSD серий 6500 ION и XTR для дата-центров

Опубликовано: 17.05.2023 13:58

Micron представила быстрые и надёжные SSD серий 6500 ION и XTR для дата-центров

 

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. Они доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

 

Источник: https://www.micron.com/